电力电子整流技术及应用

1 (p1): 第1章 概述
1 (p2): 1.1 整流技术的发展和现状
2 (p3): 1.2 整流器的主要参数
2 (p4): 1.2.1 空载输出直流电压Udo
4 (p5): 1.2.2 额定输出直流电压UdN
4 (p6): 1.2.3 整流效率ηR和整流因数KR
4 (p7): 1.2.4 功率因数
5 (p8): 1.2.5 直流电压调整值和直流电压调整率d
7 (p9): 1.3 整流器的谐波效应
11 (p10): 1.4 整流器的热效应和散热设计
12 (p11): 1.4.1 元器件的散热设计
14 (p12): 1.4.2 散热器的选用
15 (p13): 1.4.3 印制电路板的散热设计
16 (p14): 1.4.4 机箱的散热设计
21 (p15): 第2章 半导体二极管整流器
21 (p16): 2.1 半导体二极管
21 (p17): 2.1.1 半导体二极管的伏-安特性
22 (p18): 2.1.2 半导体二极管的主要参数
24 (p19): 2.2 半导体二极管整流电路
24 (p20): 2.2.1 单相二极管整流电路
30 (p21): 2.2.2 多相二极管整流电路
35 (p22): 2.3 半导体二极管模块
36 (p23): 2.3.1 半导体二极管模块的主要参数
36 (p24): 2.3.2 单、双二极管模块
39 (p25): 2.3.3 单相全桥二极管整流模块
41 (p26): 2.3.4 三相半桥二极管整流模块
42 (p27): 2.3.5 三相全桥二极管整流模块
45 (p28): 第3章 晶闸管整流电路
45 (p29): 3.1 晶闸管
45 (p30): 3.1.1 晶闸管的工作原理
47 (p31): 3.1.2 晶闸管的伏-安特性
61 (p32): 3.1.3 晶闸管的串／并联
67 (p33): 3.1.4 晶闸管的保护
78 (p34): 3.2 晶闸管整流电路
78 (p35): 3.2.1 单相半波晶闸管可控整流电路
84 (p36): 3.2.2 单相全波晶闸管可控整流电路
87 (p37): 3.2.3 单相桥式晶闸管可控整流电路
94 (p38): 3.2.4 单相桥式晶闸管不控整流电路
95 (p39): 3.2.5 二相零式晶闸管整流电路
96 (p40): 3.2.6 二相式晶闸管整流电路
96 (p41): 3.2.7 三相半波晶闸管可控整流电路
99 (p42): 3.2.8 三相桥式晶闸管可控整流电路
103 (p43): 3.2.9 多相晶闸管可控整流电路
105 (p44): 3.2.10 双Y平衡晶闸管可控整流电路
105 (p45): 3.2.11 三相不可控桥和三相晶闸管可控桥串联的可控整流电路
106 (p46): 3.3 晶闸管整流电路输出电压的脉动
108 (p47): 3.4 各种晶闸管整流电路的比较和参数的计算
108 (p48): 3.5 晶闸管模块
109 (p49): 3.5.1 晶闸管模块的主要参数
109 (p50): 3.5.2 普通单、双晶闸管模块
111 (p51): 3.5.3 普通晶闸管／整流管模块
114 (p52): 3.5.4 单相半控桥晶闸管模块和单相全控桥晶闸管模块
116 (p53): 3.5.5 单相半控桥＋整流管模块和单相全控桥＋整流管模块
119 (p54): 3.5.6 三相半控桥晶闸管模块和三相全控桥晶闸管模块
120 (p55): 3.5.7 三相半控桥＋整流管模块和三相全控桥＋整流管模块
123 (p56): 第4章 PWM整流电路
123 (p57): 4.1 功率场效应晶体管（VMOSFET）
123 (p58): 4.1.1 VMOSFET的基本结构和工作原理
127 (p59): 4.1.2 VMOSFET的技术参数
129 (p60): 4.1.3 VMOSFET的外形和分类
131 (p61): 4.1.4 应用VMOSFET时应注意的问题
132 (p62): 4.2 绝缘栅双极晶体管（IGBT）
132 (p63): 4.2.1 IGBT的结构和特点
133 (p64): 4.2.2 IGBT的基本特性
139 (p65): 4.2.3 IGBT的主要参数
141 (p66): 4.3 PWM整流电路的原理和分类
141 (p67): 4.3.1 PWM整流电路的原理
143 (p68): 4.3.2 PWM整流电路的分类
144 (p69): 4.4 单相电压型全桥式整流电路
144 (p70): 4.4.1 电路结构和工作原理
146 (p71): 4.4.2 控制方案和工作原理
151 (p72): 4.5…